半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 奥山 浩之 |
| 发表日期 | 2000-01-28 |
| 专利号 | JP2000031590A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 活性層に歪みがなく、活性層とクラッド層とのバンドギャップ差が大きい半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 n型GaAsよりなる基板1の上にn型クラッド層5,第1のガイド層6,活性層7,第2のガイド層8,p型クラッド層9を順次積層する。n型クラッド層5,p型クラッド層9はZnMgSSe混晶により、第1のガイド層6,第2のガイド層8はZnSSe混晶により、活性層7はAlGaAs混晶によりそれぞれ構成する。III-V族化合物半導体はII-VI族化合物半導体に比べてバンドギャップが小さいので、n型クラッド層5,p型クラッド層9と活性層7とのバンドギャップ差を大きくでき、オバーフロー電流を抑制できる。また、活性層7は基板1に格子整合させる。よって、活性層7の結晶性を向上させることができ、特性を向上させることができる。 |
| 公开日期 | 2000-01-28 |
| 申请日期 | 1998-07-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80845]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥山 浩之. 半導体発光素子. JP2000031590A. 2000-01-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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