半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 中野 一志; 大畑 豊治; 伊藤 哲; 中山 典一 |
| 发表日期 | 2003-07-11 |
| 专利号 | JP3449751B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 ZnMgSSe系化合物半導体をクラッド層の材料として用いた、青色ないし緑色で発光が可能な低しきい値電流の半導体レーザーを実現する。 【構成】 n型GaAs基板1上にn型ZnSeバッファ層2を介してn型Zn1-p Mgp Sq Se1-q クラッド層3、n型ZnSe光導波層4、活性層5、p型ZnSe光導波層6およびp型Zn1-p Mgp Sq Se1-q クラッド層7を順次積層してレーザー構造を形成する。活性層5は厚さが2〜20nmの単一のi型Zn1-z Cdz Se量子井戸層から成るか、合計の厚さが2〜20nmの二つのi型Zn1-z Cdz Se量子井戸層を含む。 |
| 公开日期 | 2003-09-22 |
| 申请日期 | 1993-06-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80869]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中野 一志,大畑 豊治,伊藤 哲,等. 半導体発光素子. JP3449751B2. 2003-07-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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