半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 菅原 充 |
| 发表日期 | 1994-05-31 |
| 专利号 | JP1994152056A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】本発明は、InP基板上にInl-Y GaY AsZ Pl-Z 障壁層とIn1-X GaX As井戸層とが交互に積層された歪量子井戸活性層を有する半導体レーザにおいて、これら障壁層及び井戸層の各組成比の範囲を確定して、井戸層に引張歪が加わり、且つ歪量子井戸活性層のバンドラインナップがI型になる構造の半導体レーザを提供することを目的とする。 【構成】n型(001)InP基板30上に、n型InP下部クラッド層32、In1-X GaX As/Inl-Y GaY AsZ Pl-Z 歪量子井戸活性層34、p型InP上部クラッド層36が順に積層されている。この歪量子井戸活性層34は、InPに格子整合するInl-Y GaY AsZ Pl-Z (y=0.15,z=0.32)障壁層38a,38b,38cと引張歪が加わったIn1-X GaX As(x=0.7)井戸層40a,40bとが交互に積層されている。 |
| 公开日期 | 1994-05-31 |
| 申请日期 | 1992-11-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80889]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菅原 充. 半導体レーザ. JP1994152056A. 1994-05-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。