半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 奈良崎 亘; 渡部 隆 |
| 发表日期 | 1997-08-15 |
| 专利号 | JP1997214049A |
| 著作权人 | ADVANTEST CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】制御性に優れた短共振器半導体レーザである面発光レーザを発光素子として用い、かつ、空間を介さずに光導波路と結合し、光集積回路に使用するのに適した半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】GaAs/AlGaAs系材料で構成された面発光レーザ部3を内部に含む半導体基板と、半導体基板上に形成された導波路部2とを設ける。導波路部2は、GaAsからなる導波路16によって構成し、その一端を面発光レーザ部3からのレーザ光の出射面の直上の位置にまで伸ばす。出射面の直上の位置で、導波路2の先端を厚さが先細りになるようにし、面発光レーザ部3からのレーザ光が効率よく導波路16内を伝搬できるようにする。 |
| 公开日期 | 1997-08-15 |
| 申请日期 | 1996-02-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80897]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ADVANTEST CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奈良崎 亘,渡部 隆. 半導体レーザ素子. JP1997214049A. 1997-08-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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