半導体発光装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松本 信一; 笠谷 和生; 八坂 洋 |
| 发表日期 | 1993-04-09 |
| 专利号 | JP1993090700A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 高抵抗層埋め込み構造半導体レーザにおいて、素子の直列抵抗が低減され、かつ複数の電極を必要とする素子に適用した場合、電極間の分離抵抗が十分にとれるようにする。 【構成】 第1の導電型を有する半導体基板4と、この基板上に配置され、第1の導電型を有するバッファ層2、活性層1、および第2の導電型を有するクラッド層3を少なくとも含み、かつストライプ状に形成されたメサストライプと、このメサストライプの両側面に配置された半絶縁性高抵抗層5を少なくとも備えた半導体発光装置である。メサストライプの上面において、メサストライプに沿って配置され、メサストライプよりも幅の広い、第2の導電型を有するクラッド層8と電極層9からなるストライプ状の積層体13と、この第2の導電型を有するストライプ状の積層体13の両側面に配置された半絶縁性高抵抗層6とを具えている。 |
| 公开日期 | 1993-04-09 |
| 申请日期 | 1991-09-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80911]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本 信一,笠谷 和生,八坂 洋. 半導体発光装置およびその製造方法. JP1993090700A. 1993-04-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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