半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 井戸 豊; 久光 守; 重定 頼和; 小林 裕; 樫原 稔 |
| 发表日期 | 1995-12-12 |
| 专利号 | JP1995326816A |
| 著作权人 | 株式会社島津製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 チップ作製の歩留りが高い半導体レーザの製造方法を提供する。 【構成】 瞬時光学損傷を防ぐための端面電流非注入領域を、半導体ウェハをバー状にへき開した後に、この端面コーティング工程で形成して、端面電流非注入領域の幅の制御性·再現性の向上をはかる。 |
| 公开日期 | 1995-12-12 |
| 申请日期 | 1994-05-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80955]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社島津製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井戸 豊,久光 守,重定 頼和,等. 半導体レーザの製造方法. JP1995326816A. 1995-12-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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