窒化物半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 妹尾 雅之; 長濱 慎一; 中村 修二 |
| 发表日期 | 2002-01-25 |
| 专利号 | JP3272588B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 窒化物半導体の新規な電流狭窄と、光閉じ込め技術を提案することにより、レーザ素子を実現する。 【構成】 基板10の上に少なくともn型クラッド層20と活性層30とp型クラッド層40とが順に積層された構造を有する窒化物半導体レーザ素子において、n型クラッド層20、活性層30、およびp型クラッド層40に接して、活性層よりも屈折率が小さい第一のp型窒化物半導体層50が形成され、その第一のp型窒化物半導体層に接して第二のn型窒化物半導体層51が形成され、さらにそのn型窒化物半導体層に接して正電極61、およびp型クラッド層40と電気的に接続された第三のp型窒化物半導体層52が形成されている。 |
| 公开日期 | 2002-04-08 |
| 申请日期 | 1995-12-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80957]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 妹尾 雅之,長濱 慎一,中村 修二. 窒化物半導体レーザ素子. JP3272588B2. 2002-01-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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