化合物半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 成井 啓修; 岡野 展賢 |
| 发表日期 | 2000-05-12 |
| 专利号 | JP2000133882A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 N原子の結晶中への採り込みを高めたGaInNAs化合物半導体素子を提供する。 【解決手段】 GaInNAs4元系化合物半導体層に、PあるいはC原子をドーピングし、結晶内部歪みを低減してN原子の採り込みを促進する。 |
| 公开日期 | 2000-05-12 |
| 申请日期 | 1998-10-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80961]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 成井 啓修,岡野 展賢. 化合物半導体素子. JP2000133882A. 2000-05-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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