光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 町田 豊稔 |
| 发表日期 | 1993-04-02 |
| 专利号 | JP1993082887A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】波長可変領域を有する光半導体装置に関し、波長可変範囲を狭めずに出力光強度を大きくすることを目的とする。 【構成】光波長可変領域12のある光半導体装置において、波長可変領域12内の導波路層5aのバンドギャップ波長を、他の領域の導波路層5bのバンドギャップ波長よりも長くしたことを含み構成する。 |
| 公开日期 | 1993-04-02 |
| 申请日期 | 1991-09-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80972]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 町田 豊稔. 光半導体装置. JP1993082887A. 1993-04-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。