半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 水由 明; 鶴間 功 |
| 发表日期 | 2001-01-19 |
| 专利号 | JP2001015861A |
| 著作权人 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 ストライプ構造を有する半導体レーザ装置において、ヒートシンク等へのボンディングの際にストライプ部が傷ついて素子特性が低下することを防止し、安定した出力を得る。 【解決手段】 n型GaAs基板11上に、n型GaAsバッファ層12、n型InGaPクラッド層13、InGaAsPバリア層14、InGaAs活性層15、InGaAsPバリア層16、p型InGaPクラッド層17、p型InGaAsPエッチングストップ層18、p型InGaPクラッド層19、p型GaAsコンタクト層20を順次積層する。その後コンタクト層20とクラッド層19 をエッチングして、幅方向の中心からずれた位置にリッジ部を形成する。同時にチップ中央部に、リッジと同じ高さの、組立時のピックアップ用の台形部分を形成する。その上に誘電体膜22を形成し、p側電極23とn側電極24を形成する。p側電極23を形成する際、同時にピックアップ用の台形部分の上にも電極を形成する。 |
| 公开日期 | 2001-01-19 |
| 申请日期 | 1999-07-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80993]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 水由 明,鶴間 功. 半導体レーザ装置. JP2001015861A. 2001-01-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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