窒化物系半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 田中 明; 菅原 秀人 |
| 发表日期 | 2008-02-28 |
| 专利号 | JP2008047688A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】動作電圧が低減された窒化物系半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】窒化物系半導体からなる活性層と、前記活性層の上に設けられ、前記活性層からのキャリアのオーバーフローを抑制する第1導電型の第1の窒化物系半導体を含むオーバーフロー防止層と、前記オーバーフロー防止層の上に隣接して設けられ、第1導電型の第2の窒化物系半導体を含む中間層と、前記中間層の上に設けられ、第1導電型の第3の窒化物系半導体を含むクラッド層と、を備え、前記第1の窒化物系半導体と、前記第2の窒化物系半導体と、前記第3の窒化物系半導体は、同一の元素を含み、前記同一の元素の組成比は、前記第1の窒化物系半導体、前記第2の窒化物系半導体、前記第3の窒化物系半導体の順に小さくなることを特徴とする窒化物系半導体レーザ装置が提供される。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-02-28 |
| 申请日期 | 2006-08-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81001]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 明,菅原 秀人. 窒化物系半導体レーザ装置. JP2008047688A. 2008-02-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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