窒化物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 長濱 慎一; 中村 修二 |
| 发表日期 | 2007-10-19 |
| 专利号 | JP4028635B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 厚膜のAlを含む窒化物半導体、またはAl混晶比の高い窒化物半導体を成長可能として、その窒化物半導体をクラッド層、コンタクト層として有する窒化物半導体素子を提供する。 【構成】 結晶欠陥が1×107個/cm2以下の窒化物半導体よりなる下地層上に、Inを含む井戸層を有する量子井戸構造の活性層を有し、その活性層と下地層との間に、アルミニウムを含む窒化物半導体を含む第1の窒化物半導体層が成長されている。これは、下地層の歪みが小さいのでその上に格子不整合状態で成長させるAlGaN層の歪みも小さくなるために、AlGaNが厚膜で成長できてクラッド層、コンタクト層となる。 |
| 公开日期 | 2007-12-26 |
| 申请日期 | 1998-05-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81003]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長濱 慎一,中村 修二. 窒化物半導体発光素子. JP4028635B2. 2007-10-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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