半導体発光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 宮永 良子; 上山 智; 横川 俊哉; 吉井 重雄 |
| 发表日期 | 1998-08-07 |
| 专利号 | JP1998209559A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 コンタクト層とp型電極の密着力を高めた高信頼性の半導体発光素子を実現する。 【解決手段】 n型GaAs基板111上にn型GaAsバッファ層112、n型ZnMgSSeクラッド層113、n型ZnSSe光導波層114、ZnCdSe活性層115、p型ZnSSe光導波層116、p型ZnMgSSeクラッド層117、p型ZnSeTeコンタクト層118が積層されている。コンタクト層118上にはp型電極120が形成され、この両側にはZnO絶縁層119が形成されている。ここでは、ZnO絶縁層119形成前にp型ZnSeTeコンタクト層118上の領域に、p型AuPd電極120を形成し熱処理を行うことにより、p型ZnSeTeコンタクト層118とp型AuPd電極120が合金化され、ストライプ領域に密着性が高くオーム性接触な電極が得られる。 |
| 公开日期 | 1998-08-07 |
| 申请日期 | 1997-01-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81005]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮永 良子,上山 智,横川 俊哉,等. 半導体発光素子およびその製造方法. JP1998209559A. 1998-08-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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