半導体光素子
文献类型：专利
| 作者 | 杉浦 英雄; 小笠原 松幸; 満原 学 |
| 发表日期 | 1998-08-25 |
| 专利号 | JP1998229249A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 ハイブリッド成長法による性能劣化を克服した新規な半導体光素子の構造を提供することである。 【解決手段】 本発明にもとづく半導体光素子は、CBEまたはMBE法によって形成されるクラッド層のBeドープ量を5×1017cm-3以下とするか、もしくはMOCVD法によって形成されるクラッド層のZnのドープ量を5×1017cm-3以下とする構造を有するものとする。 |
| 公开日期 | 1998-08-25 |
| 申请日期 | 1997-02-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81011]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杉浦 英雄,小笠原 松幸,満原 学. 半導体光素子. JP1998229249A. 1998-08-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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