半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 渡辺 和昭 |
| 发表日期 | 1993-09-21 |
| 专利号 | JP1993243674A |
| 著作权人 | SEIKO EPSON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザのpn接合の位置を活性層と一致させる。 【構成】 活性層とn型導電層との間にノンドープ層を挿入する。 【効果】 結晶成長中、あるいはその後のプロセス時に起こるn型ドーパントのp型領域への拡散を防止し、pn接合の位置と活性層とを一致させることができる。この結果、キャリアの変換効率が高くなり、しきい電流値、発光効率に大きな改善がみられた。また無効電流が減少したのでチップの発熱が抑制され、特性温度の向上もあわせて観測された。 |
| 公开日期 | 1993-09-21 |
| 申请日期 | 1992-03-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81019]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SEIKO EPSON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡辺 和昭. 半導体レーザ. JP1993243674A. 1993-09-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。