半導体レ—ザ
文献类型：专利
| 作者 | 藤井 宏明 |
| 发表日期 | 1999-09-28 |
| 专利号 | JP1999266060A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レ—ザ |
| 英文摘要 | 【課題】 内部損失が小さく、低閾値電流、高光出力効率の得られる透明導波路型AlGaInPレーザを結晶歪による特性悪化を伴わずに実現する。 【解決手段】 GaAs基板上に設けられる、活性層と、活性層を上下より挟み込む上部クラッド層および下部クラッド層と、上部クラッド層上に形成され、発振光に対して透明でありストライプ状の開口部を有し、AlGaInPまたはAlInPと、GaAsとの少なくとも2層を含む電流ブロック層と、上部クラッド層と電流ブロック層の間および電流ブロック層の開口部によりストライプ状に露出した上部クラッド層の上に形成されるAlを含まないエッチングストッパー層と、電流ブロック層の上、および、電流ブロック層の開口部によりストライプ状に露出したエッチングストッパー層の上に形成されたAlGaAsを含むクラッド層と、を具備し、上部クラッド層はAlGaInPまたはAlInPを含む。 |
| 公开日期 | 1999-09-28 |
| 申请日期 | 1996-01-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81047]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤井 宏明. 半導体レ—ザ. JP1999266060A. 1999-09-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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