光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 山本 剛之; 小林 宏彦; 江川 満; 藤井 卓也 |
| 发表日期 | 2002-02-22 |
| 专利号 | JP3281239B2 |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】選択成長法により利得領域の膜厚と導波路領域の膜厚を異ならせた化合物半導体装置に関し、膜厚の厚い領域での圧縮歪みを低減すること。 【解決手段】利得領域30Aで平坦に形成され、導波路領域30Bでは該利得領域30Aよりも薄く且つテーパ状に形成される量子井戸構造層34と、前記量子井戸構造層34の上下に形成されるクラッド層32、36と、前記クラッド層32、36と前記量子井戸構造層34の間において前記利得領域30Aで平坦で且つ前記導波路領域30Bでテーパ状に形成されるとともに、該テーパの先端で引張応力が生じている光ガイド層33、35とを含む。 |
| 公开日期 | 2002-05-13 |
| 申请日期 | 1995-12-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81058]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 剛之,小林 宏彦,江川 満,等. 光半導体装置. JP3281239B2. 2002-02-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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