半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 藤井 就亮; 元田 隆 |
| 发表日期 | 1997-06-30 |
| 专利号 | JP1997172220A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 メサ型構造を作製するエッチング工程に於ける再現性および効率の向上を達成する半導体レーザ装置とその製造方法とを提供すること。 【解決手段】 ダブルへテロ接合構造の上に形成した第1エッチング停止層から離間し、且つ活性層から1μm以上離間した第2エッチング停止層を備える。 【効果】 エッチング工程を2段階に停止させるので、工程中に各層の膜厚分布の均一性が悪化せず、再現性良くメサ型構造を作製することができる。また、2つのエッチング停止層を互いに離間させているので、2つの層を極端に薄膜化する必要がなく、さらに第2エッチング停止層を活性層から十分離して形成しているので2つのエッチング停止層に於ける光吸収を最小限とすることができる。 |
| 公开日期 | 1997-06-30 |
| 申请日期 | 1995-12-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81065]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤井 就亮,元田 隆. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP1997172220A. 1997-06-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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