半導体レーザの製法
文献类型：专利
| 作者 | 田辺 哲弘 |
| 发表日期 | 1998-10-09 |
| 专利号 | JP1998270788A |
| 著作权人 | ローム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製法 |
| 英文摘要 | 【課題】 AlGaInP系により電流狭窄層が設けられる半導体レーザにおいて、ストライプ溝のためのエッチングを制御よく容易に行える製法を提供する。 【解決手段】 (a)基板1上にAlGaInP系化合物半導体からなる下部クラッド層2、活性層3、上部第1クラッド層4を順次エピタキシャル成長し、(b)AlGaInP系化合物半導体からなる電流狭窄層6をエピタキシャル成長し、(c)GaAsからなる保護層6aをエピタキシャル成長し、(d)1×10-4以上の高真空で、かつ、ヒ素分圧がヒ素の蒸気圧より高い分圧でアニール処理を行い、(e)前記保護層および電流狭窄層を同じエッチング液で同時にエッチングすることによりストライプ状の溝を形成し、(f)AlGaInP系化合物半導体からなる上部第2クラッド層7およびGaAsからなるコンタクト層8をエピタキシャル成長することを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1998-10-09 |
| 申请日期 | 1997-03-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81070]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ローム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田辺 哲弘. 半導体レーザの製法. JP1998270788A. 1998-10-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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