窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 石川 正行; 山本 雅裕; 布上 真也; 西尾 譲司; 波多腰 玄一; 藤本 英俊 |
| 发表日期 | 1998-04-10 |
| 专利号 | JP1998093192A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 活性層へのキャリア注入を効率的に行うと共に、電極コンタクト等での電圧降下を抑制することができ、低しきい値、低電圧で動作し、高い信頼性を達成する。 【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体レーザは、サファイア基板10上に、活性層14をクラッド層13、15で挟んだダブルヘテロ接合構造を有する。p-クラッド層15の上にストライプ状の開口部を有するGaN電流ブロック層16が形成される。更に、電流ブロック層16の開口部へ電流を注入し、該開口部よりも面積の広いp-GaNの埋込み層17及びコンタクト層18が形成される。活性層14はバンドギャップエネルギーが異なり、それぞれの厚さが10nm以下の2種類のInGaAlN層の繰り返しで構成される周期構造からなる多重量子井戸(MQW)構造を有する。 |
| 公开日期 | 1998-04-10 |
| 申请日期 | 1997-07-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81071]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石川 正行,山本 雅裕,布上 真也,等. 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法. JP1998093192A. 1998-04-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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