半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小沢 正文; 中山 典一; 日野 智公 |
| 发表日期 | 2005-05-20 |
| 专利号 | JP3678769B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体基体の表面に密着性良く絶縁材料を被着する半導体装置の製造方法を提供すること。 【構成】 本発明は半導体基体1の表面に絶縁材料2を被着する方法であり、先ず、半導体基体1の表面に所定粗さを構成する凹凸1aを形成し、次いで、その凹凸1aが形成された半導体基体1の表面に絶縁材料2を被着する。また、半導体基体1として化合物半導体を用いたり、所定厚さから成る下層基体上に半導体基体1を形成する場合においては、凹凸1aによる表面の粗さを、最大粗さにおいて1×10-8m以上で半導体基体1と下層基体との厚さの和未満にする半導体装置の製造方法でもある。 |
| 公开日期 | 2005-08-03 |
| 申请日期 | 1994-03-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81103]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小沢 正文,中山 典一,日野 智公. 半導体装置の製造方法. JP3678769B2. 2005-05-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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