半導体発光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 品川 達志; 石井 宏辰; 粕川 秋彦 |
| 发表日期 | 2009-04-23 |
| 专利号 | JP2009088230A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】均一な組成分布を有する高In組成のInGaNの活性層を有する素子であって、発光波長が480nm以上の発光を高い発光効率で実現でき、しかも量産性に優れた半導体発光素子およびその製造方法を提供する提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオード10は、[InxGa1-xN(0 |
| 公开日期 | 2009-04-23 |
| 申请日期 | 2007-09-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81121]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 品川 達志,石井 宏辰,粕川 秋彦. 半導体発光素子およびその製造方法. JP2009088230A. 2009-04-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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