半導体装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 簗嶋 克典; 石橋 晃 |
| 发表日期 | 1997-09-19 |
| 专利号 | JP1997246288A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 p型II-VI族化合物半導体層、p型III-V族化合物半導体層またはp型IV族半導体層上にHgS層を設けた半導体装置およびそのHgS層を安全に、しかも分子線エピタキシー法を用いるときにも高い制御性で形成することができる製造方法を提供する。 【解決手段】 II-VI族化合物半導体を用いた半導体レーザーにおいて、p型ZnSeコンタクト層8上にHgSコンタクト層10を形成し、その上にp側電極11を形成する場合に、HgSコンタクト層10を、蒸着法、固相拡散法または化合物原料を用いた分子線エピタキシー法により形成する。HgSコンタクト層10の形成原料としてはHgSを用いる。 |
| 公开日期 | 1997-09-19 |
| 申请日期 | 1996-03-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81127]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 簗嶋 克典,石橋 晃. 半導体装置およびその製造方法. JP1997246288A. 1997-09-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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