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波長可変半導体レーザ及びそれを使用した光集積化デバイス

文献类型:专利

作者北岡 康夫; 水内 公典; 山本 和久
发表日期2004-01-08
专利号JP2004007023A
著作权人MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名波長可変半導体レーザ及びそれを使用した光集積化デバイス
英文摘要【課題】 ジャンクションダウン実装した場合にも安定した波長可変動作が実現できる波長可変半導体レーザを提供するとともに、基板厚さ方向の実装精度を向上させて、半導体レーザチップからのレーザ光を光導波路デバイスの光導波路に高効率に結合させることができる光集積化デバイスを提供する。 【解決手段】 波長可変半導体レーザが、サブマウントと、該サブマウントの上に実装されている、少なくとも活性層領域と分布ブラッグ反射領域とを有する半導体レーザチップと、を備え、該半導体レーザチップは、エピタキシャル成長面が該サブマウントと向かい合うように、且つ該活性層領域の放熱状態と該分布ブラッグ反射領域の放熱状態とが異なるように、実装されている。上記の波長可変半導体レーザが実装されているサブマウントの上に、更に光導波路デバイスを実装して、光集積化デバイスを構成する。 【選択図】 図3
公开日期2004-01-08
申请日期2003-09-30
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81134]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
北岡 康夫,水内 公典,山本 和久. 波長可変半導体レーザ及びそれを使用した光集積化デバイス. JP2004007023A. 2004-01-08.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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