波長可変半導体レーザ及びそれを使用した光集積化デバイス
文献类型:专利
作者 | 北岡 康夫; 水内 公典; 山本 和久 |
发表日期 | 2004-01-08 |
专利号 | JP2004007023A |
著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 波長可変半導体レーザ及びそれを使用した光集積化デバイス |
英文摘要 | 【課題】 ジャンクションダウン実装した場合にも安定した波長可変動作が実現できる波長可変半導体レーザを提供するとともに、基板厚さ方向の実装精度を向上させて、半導体レーザチップからのレーザ光を光導波路デバイスの光導波路に高効率に結合させることができる光集積化デバイスを提供する。 【解決手段】 波長可変半導体レーザが、サブマウントと、該サブマウントの上に実装されている、少なくとも活性層領域と分布ブラッグ反射領域とを有する半導体レーザチップと、を備え、該半導体レーザチップは、エピタキシャル成長面が該サブマウントと向かい合うように、且つ該活性層領域の放熱状態と該分布ブラッグ反射領域の放熱状態とが異なるように、実装されている。上記の波長可変半導体レーザが実装されているサブマウントの上に、更に光導波路デバイスを実装して、光集積化デバイスを構成する。 【選択図】 図3 |
公开日期 | 2004-01-08 |
申请日期 | 2003-09-30 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81134] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 北岡 康夫,水内 公典,山本 和久. 波長可変半導体レーザ及びそれを使用した光集積化デバイス. JP2004007023A. 2004-01-08. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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