半導体レーザおよびその製法
文献类型：专利
| 作者 | 虫上 雅人; 手銭 雄太; 村山 実 |
| 发表日期 | 1996-07-16 |
| 专利号 | JP1996186323A |
| 著作权人 | ローム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザにおいて、クラッド層や電流阻止層に光を吸収し易い材料を用いず、動作電圧の低下をはかる。
【構成】 半導体レーザを構成する上下クラッド層2、4、6および活性層3が組成式:(Alx Ga1-x )y In1-y P(0 |
| 公开日期 | 1996-07-16 |
| 申请日期 | 1994-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81141]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ローム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 虫上 雅人,手銭 雄太,村山 実. 半導体レーザおよびその製法. JP1996186323A. 1996-07-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。