半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 奥山 浩之; 石橋 晃; 加藤 豪作; 吉田 浩; 中野 一志; 浮田 昌一; 喜嶋 悟; 岡本 桜子 |
| 发表日期 | 1996-04-12 |
| 专利号 | JP1996097519A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 II-VI族化合物半導体発光装置において、室温で短波長発光が可能であり、電流ー電圧特性、電流-光出力特性等の動作特性の安定化、高寿命化をはかる。 【構成】 基板1上に、少なくとも第1導電型の第1のクラッド層2と、活性層3と、第2導電型の第2のクラッド層4とを有し、少なくともその活性層3が、II-VI族化合物半導体よりなり、またこの活性層3が、n型、p型のいづれか一方もしくは双方のドーパントがドープされた構成とする。 |
| 公开日期 | 1996-04-12 |
| 申请日期 | 1995-02-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81145]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥山 浩之,石橋 晃,加藤 豪作,等. 半導体発光装置. JP1996097519A. 1996-04-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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