半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 土井 健嗣 |
| 发表日期 | 2000-04-07 |
| 专利号 | JP2000101191A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体基板上に、第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層をこの順に含むダブルヘテロ構造を有する半導体レーザにおいて、該ダブルヘテロ構造の結晶成長で、第1導電型クラッド層を成長した後の活性層以降の成長の際に第1導電型ドーパントの取り込みを防いで結晶欠陥を低減させ,優れた特性を持つ半導体レーザを実現する。 【解決手段】 半導体基板190上に、第1導電型クラッド層130、活性層110、第2導電型クラッド層120をこの順に含むダブルヘテロ構造を有する半導体レーザにおいて、該ダブルヘテロ構造の結晶成長で、第1導電型クラッド層130を成長後、結晶成長を一時中断し、V族原料を供給したまま昇温保持し、その後、活性層110、第2導電型クラッド層120の成長を行うことにより活性層110、第2導電型クラッド層120への第1導電型ドーパントの取り込みを防いで結晶欠陥を低減させる。 |
| 公开日期 | 2000-04-07 |
| 申请日期 | 1998-09-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81164]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 土井 健嗣. 半導体レーザの製造方法. JP2000101191A. 2000-04-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。