半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 野口 悦男; 近藤 進 |
| 发表日期 | 1995-07-14 |
| 专利号 | JP1995176830A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 選択成長においてアルミニュウムを含む混晶層の活性層を成長する場合においても、活性層の品質を保ったままで、電流狭窄が可能であり、段差が小さく、リークパスの少ない電極形成が容易な埋め込み構造半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 第1導電型半導体基板1上に第2導電型半導体層10及び第1導電型半導体層11を順に積層する工程と、前記第1導電型半導体層11の表面に2本の互いに平行なストライプ状誘電体膜12を形成し、誘電体膜12をエッチングマスクとして、少なくとも2本の誘電体膜12に挟まれた領域の第1導電型半導体層11及び第2導電型半導体層10を取り除く工程と、誘電体膜12を選択成長マスクとして、2本の誘電体膜12に挟まれた領域に活性層13を含む半導体膜を有機金属熱分解気相成長法により成長する工程と、2本の互いに平行な誘電体膜12を取り除き、基板1全面に活性層13よりもバンドギャップの大きい第2導電型の半導体層5を成長する工程を含むことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1995-07-14 |
| 申请日期 | 1993-12-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81165]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野口 悦男,近藤 進. 半導体発光素子の製造方法. JP1995176830A. 1995-07-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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