半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 松原 秀樹; 齊藤 裕久; 三崎 貴史; 山口 章; 塩崎 学 |
| 发表日期 | 2006-06-22 |
| 专利号 | JP2006165255A |
| 著作权人 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 短波長の光に効果を及ぼす、良好な特性を持った2次元回折格子を有する半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子1は、主面3aを有する基板3と、主面3aが延びる方向に沿って基板3上に形成された2次元回折格子7と、基板3上に形成されたn型クラッド層4と、基板3上に形成されたp型クラッド層6と、n型クラッド層4およびp型クラッド層6に挟まれ、キャリアが注入されると発光する活性層5とを備えている。2次元回折格子7は、GaNよりなるエピタキシャル層2aと、エピタキシャル層2aよりも低屈折率である複数の回折格子点2bとを含んでいる。基板3は導電性GaNまたは導電性SiCのいずれか一方よりなっている。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2006-06-22 |
| 申请日期 | 2004-12-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81182]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松原 秀樹,齊藤 裕久,三崎 貴史,等. 半導体レーザ素子. JP2006165255A. 2006-06-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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