半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 浅野 英樹; 福永 敏明 |
| 发表日期 | 1996-09-27 |
| 专利号 | JP1996250811A |
| 著作权人 | 富士フイルム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 高出力動作時も単一横モード発振可能で、かつ製造容易な半導体発光装置を得る。 【構成】 発光領域Aが第1クラッド層2、活性層3、第2クラッド層4、横モード制御用の第2光ガイド層5、第2クラッド層4,7およびコンタクト層8がこの順に積層されてなり、埋め込み領域Bである電流阻止部が第1クラッド層2、活性層3、第2クラッド層4、第1電流ブロック層6、第2クラッド層7およびコンタクト層8がこの順に積層されてなり(第1、第2はそれぞれ、n型とp型の一方と他方を示す)、上記第2クラッド層4がInGaPクラッド層である埋め込み構造型の半導体発光装置において、光ガイド層5を、屈折率がInGaPクラッド層4よりも大きくて、GaAsよりも小さいInGaAsPから形成する。 |
| 公开日期 | 1996-09-27 |
| 申请日期 | 1995-03-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81210]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士フイルム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 浅野 英樹,福永 敏明. 半導体発光装置. JP1996250811A. 1996-09-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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