光半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 北村 昌太郎 |
| 发表日期 | 1995-12-18 |
| 专利号 | JP1995118569B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】再現性に優れるMOVPEの選択成長法を用いて、半導体レーザを製造するにあたり、電流ブロック層(半導体レーザに注入した電流を、レーザ光を出す活性層に集中させるための層)を形成することを可能とする。これにより高出力(200mW以上)の半導体レーザの製造を可能とする。 【構成】以下の手順を用い、光半導体素子を選択成長法で製造する。 |
| 公开日期 | 1995-12-18 |
| 申请日期 | 1993-01-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81218]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 北村 昌太郎. 光半導体素子の製造方法. JP1995118569B2. 1995-12-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。