半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 岡田 直子; 近藤 真人; 穴山 親志; 堂免 恵; 古谷 章 |
| 发表日期 | 1994-09-22 |
| 专利号 | JP1994268322A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザ及びその製造方法に関し、極めて簡単な手段を採ることで、活性層中或いは劈開面に非発光再結合中心が生成されることを抑制し、発光効率及びCODレベルを向上させようとする。 【構成】 n-GaInP基板上にn-(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層22及びSe,S,Teなど六族元素がドーピングされたn-Ga0.5In0.5 P活性層23及びp-(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層24が順に積層成長されてなるダブル·ヘテロ構造を備えている。 |
| 公开日期 | 1994-09-22 |
| 申请日期 | 1993-03-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81220]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡田 直子,近藤 真人,穴山 親志,等. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1994268322A. 1994-09-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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