窒化物系半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 杉浦 理砂 |
| 发表日期 | 2000-03-03 |
| 专利号 | JP2000068557A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化物系発光素子のp側コンタクト抵抗の低減を可能にし、素子の動作電圧を低減し、レーザ発振を容易にすると共に、素子寿命が大幅に延び窒化物系半導体レーザの実用化を可能にすること。 【解決手段】 p側コンタクト層として、p型不純物を添加したpoly-Si を用いることにより1019〜1020cm-3台の正孔濃度が得られるため、従来に比べp側のキャリアが2〜4桁増大し、p側コンタクトのショットキーバリアの大幅な低減が可能になり、コンタクト抵抗を低減することができる。 |
| 公开日期 | 2000-03-03 |
| 申请日期 | 1998-08-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81226]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杉浦 理砂. 窒化物系半導体素子. JP2000068557A. 2000-03-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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