半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 奥山 浩之; 秋本 克洋; 石橋 晃; 白石 誠司; 伊藤 哲; 中野 一志; 池田 昌夫; 日野 智公; 浮田 昌一 |
| 发表日期 | 2004-05-28 |
| 专利号 | JP3557644B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 II-VI族化合物半導体により半導体発光素子を構成する場合の発光強度の劣化等の改善をはかり、より低閾値での連続的な発振を行えるようにする。 【構成】 半導体基板1と、半導体基板1上の第1導電型の第1のクラッド層2と、この第1のクラッド層2上の活性層4と、この活性層4上の第2導電型の第2のクラッド層6とを有して成り、第1および第2のクラッド層が、Zn、Hg、Cd、Mgのうちの少なくとも1種類以上の元素と、S、Se、Teのうちの少なくとも1種類以上のVI族元素によるII-VI族化合物半導体より成り、第1および第2のクラッド層および第2のクラッド層のうちの少なくとも一方と半導体基板との格子不整Δa/a (%)を-0.9 % ≦ Δa/a ≦ 0.5%(aは半導体基板の格子定数、ac は第1または第2のクラッド層の少なくとも一方の格子定数で、Δa=ac -a)。 |
| 公开日期 | 2004-08-25 |
| 申请日期 | 1994-05-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81232]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥山 浩之,秋本 克洋,石橋 晃,等. 半導体発光装置. JP3557644B2. 2004-05-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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