分布帰還型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 山田 博仁 |
| 发表日期 | 1999-06-11 |
| 专利号 | JP2937740B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 -40℃〜+85℃の広い温度範囲で安定に単一モード発振し、良好な温度特性を有する分布帰還型レーザを実現する。 【構成】 構成としては、4ウエル以下のMQW活性層と200μm以下の素子長からなり、埋め込まれた回折格子の山の高さが30nm以上ある分布帰還型レーザで、光出力端面に無反射コーティングを、後面に高反射コーティングを有する。 【効果】 分布帰還型レーザにおいて、ブラッグ波長の温度依存性と利得ピーク波長の温度依存性をほぼ等しくすることにより、広い温度範囲においても安定に単一モード発振するレーザを実現できる。この方法としては、ウエル数を少なくかつ素子長を短くすることにより、バンド·フィリング効果を助長してやればよい。さらに、回折格子の山の高さを高くすることにより、ディチューニング許容量を大きくできる。 |
| 公开日期 | 1999-08-23 |
| 申请日期 | 1994-04-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81248]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 博仁. 分布帰還型半導体レーザ. JP2937740B2. 1999-06-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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