半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 渡辺 昌規 |
| 发表日期 | 2005-07-28 |
| 专利号 | JP2005203589A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 高出力動作時にキンクを発生することなく低楕円率のレーザ光を出射できる半導体レーザを提供する。 【解決手段】 半導体レーザは、積層構造170と第1及び第2ストライプサイド領域151,152を有する。半導体基板100上の積層構造170は、下クラッド層103、活性層106、および上クラッド層108,110を備える。第1ストライプサイド領域151は、リッジストライプ領域150の両外側に配置されている。第2ストライプサイド領域152は第1ストライプサイド領域の両外側に配置されている。第2ストライプサイド領域152における上クラッド層108下面から埋め込み層115下面までの厚さH2は、第1ストライプサイド領域151における厚さH1よりも小さい。第1ストライプサイド領域151の幅Dは光出射端面よりも共振器の中央部で大きい。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2005-07-28 |
| 申请日期 | 2004-01-16 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81253]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡辺 昌規. 半導体レーザおよびその製造方法. JP2005203589A. 2005-07-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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