半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 松本 晃広; 大林 健 |
| 发表日期 | 2006-11-02 |
| 专利号 | JP3876023B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 接合界面付近の活性層に酸化に起因する非発光再結合準位が形成され、レーザ発振に寄与しない無効電流が発生する。さらに、結晶欠陥が発生し、無効電流のさらなる増大が生じる。 【解決手段】 第1導電型のGaAs基板1上に、少なくとも第1導電型の第1クラッド層2と、活性層5と、第2導電型の第2クラッド層7とを有し、少なくとも前記活性層5と第2クラッド層7を含む領域にメサストライプ9が形成され、該メサストライプ9の外部には第1、第2、第3電流阻止層10、11、12を備えてなり、前記活性層5はAlを含まないInGaAsPから成り、前記第1、第2クラッド層2、7は少なくともAlを含有してなる。また第1、第2クラッド層2、7よりも禁制帯幅の小さい第1、第2ガイド層4、6、あるいは第1クラッド層より禁制帯幅の小さい保護層3を設ける。 |
| 公开日期 | 2007-01-31 |
| 申请日期 | 1996-09-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81265]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本 晃広,大林 健. 半導体レーザ素子. JP3876023B2. 2006-11-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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