半導体発光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 菅原 秀人; 石川 正行 |
| 发表日期 | 1998-05-29 |
| 专利号 | JP1998144962A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 製造が簡単で高発光効率のGaN系半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 GaN系の半導体発光素子のpn接合発光領域を構成するp型クラッド層304の上部にn型キャップ層305を形成し、p型クラッド層のアクセプタ不純物の活性化率を高くする。またn型キャップ層を電流狭窄構造に用いる。 |
| 公开日期 | 1998-05-29 |
| 申请日期 | 1997-08-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81277]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菅原 秀人,石川 正行. 半導体発光素子およびその製造方法. JP1998144962A. 1998-05-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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