半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 井出 聡; 山本 剛之 |
| 发表日期 | 1995-06-23 |
| 专利号 | JP1995162085A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体発光装置に関し、導波層が厚くても縦方向の導波を基底モードで安定に行うことができるようにして、レーザ光の広がりを小さく抑え、光ファイバとの結合効率を向上できるようにする。 【構成】 圧縮歪み量子井戸活性層34及びそれを挟むコア部分層33及び35で構成されたコア層の基板側並びに表面側のそれぞれに高屈折率クラッド層32(基板側)と高屈折率クラッド層36(表面側)、そして、低屈折率クラッド層31(基板側)と低屈折率クラッド層37(表面側)からなる積層体が形成されている。 |
| 公开日期 | 1995-06-23 |
| 申请日期 | 1993-12-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81281]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井出 聡,山本 剛之. 半導体発光装置. JP1995162085A. 1995-06-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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