半導体発光装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 玉村 好司 |
| 发表日期 | 1999-06-22 |
| 专利号 | JP1999168257A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 しきい値電流および動作電流の低減を図ることができるとともに、横モードの制御を図ることができる、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光装置において、第2導電型のクラッド層8上にストライプ形状を有する第2導電型のコンタクト層10を設け、このコンタクト層10の両側の部分に、少なくとも一部が電気的にほぼ絶縁性の窒化物系III-V族化合物半導体からなる電流狭窄層11、12を設けて電流狭窄構造を形成する。このような電流狭窄構造を形成するには、クラッド層8上にエッチングストップ層9および電流狭窄層11、12を成長させた後、エッチングストップ層9を用いて電流狭窄層11、12を選択的にエッチングすることによりストライプ形状の開口を形成し、この開口の内部にコンタクト層10を選択的に成長させて埋め込む。 |
| 公开日期 | 1999-06-22 |
| 申请日期 | 1997-12-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81283]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 玉村 好司. 半導体発光装置およびその製造方法. JP1999168257A. 1999-06-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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