半導体光増幅素子
文献类型：专利
| 作者 | 北村 昌太郎 |
| 发表日期 | 1999-02-16 |
| 专利号 | JP1999046044A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光増幅素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 30dB程度の高利得においてもリップルを十分抑制でき、光結合損失の増加を最小限に抑え、かつ素子端面の反射率を十分に下げる。 【解決手段】 光導波路型の活性層12を有し、素子端面14近くで光導波路が途切れて窓領域15が設けられており、出力光の放射角が半値全幅l5度以下となるように光導波路の一部がテーパ状導波路16となっており、かつ素子端面14の法線と光導波路の長手方向とが6度以上の角度をなす。また、窓領域15の長さが50μm以上80μm以下のときは、素子端面14の法線と光導波路の長手方向とが5度以上であればよい。 |
| 公开日期 | 1999-02-16 |
| 申请日期 | 1997-07-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81292]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 北村 昌太郎. 半導体光増幅素子. JP1999046044A. 1999-02-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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