半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 岩井 則広; 粕川 秋彦 |
| 发表日期 | 2002-02-08 |
| 专利号 | JP3276674B2 |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 全工程をMOCVD法で成長させることができるp型基板を用いた半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 p型半導体基板11上に、下部光閉じ込め層19a、活性層13、上部光閉じ込め層19bおよびクラッド層14が順次積層された積層体から形成されたストライプ状のメサを有し、前記メサの両側は半絶縁性半導体埋め込み層16で埋め込まれている半導体レーザ素子において、前記メサの底部を、上部光閉じ込め層19bの上面と下部光閉じ込め層19aの下面の間に設ける。 |
| 公开日期 | 2002-04-22 |
| 申请日期 | 1992-05-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81295]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩井 則広,粕川 秋彦. 半導体レーザ素子. JP3276674B2. 2002-02-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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