半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 角田 篤勇 |
| 发表日期 | 2002-07-19 |
| 专利号 | JP3330493B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 製造が簡単で、効率よく自励発振を発生でき、しかも特性及び信頼性に優れたものとする。 【解決手段】 p型第2クラッド層55のエッチングがエッチング遅延層54に達して、深さ方向にエッチングが遅延している間に、p型第2クラッド層55のリッジ側面の角度は急峻になってくる。そして、エッチング遅延層54がすべてエッチングされ、p型第1クラッド層53の途中までエッチングを行った場合、p型第1クラッド層53のリッジ側面の角度は、p型第2クラッド層55のリッジ側面の角度よりもゆるやかになる。 |
| 公开日期 | 2002-09-30 |
| 申请日期 | 1996-04-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81299]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 角田 篤勇. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP3330493B2. 2002-07-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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