半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 池上 隆俊; 本多 正治; 三宅 輝明; 中島 健二; 藪内 隆稔 |
| 发表日期 | 1998-06-19 |
| 专利号 | JP1998163565A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 活性層の結晶性の劣悪化を防ぎ、寿命を長くし、動作電圧を低くした半導体レーザを提供する。 【解決手段】 半導体基板1上に活性層とクラッド層を積層するGaInP系の半導体レーザにおいて、活性層4の上に積層するクラッド層5は、活性層4に隣接する亜鉛濃度の低い第1のクラッド層5aと、その第1のクラッド層5aの上に積層された第1のクラッド層より亜鉛濃度が高く電流狭搾効果を有した第2のクラッド層5bとを設けた。 |
| 公开日期 | 1998-06-19 |
| 申请日期 | 1996-11-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81309]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 池上 隆俊,本多 正治,三宅 輝明,等. 半導体レーザ. JP1998163565A. 1998-06-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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