半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 井戸 豊; 久光 守; 重定 頼和; 小林 裕; 樫原 稔 |
| 发表日期 | 1995-10-20 |
| 专利号 | JP1995273394A |
| 著作权人 | SHIMADZU CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 活性層の温度上昇が小さい電流狭窄型の半導体レーザを提供する。 【構成】 光を発生する活性領域をこの活性領域の上下に設けられたクラッド層で挟み込み、電流狭窄のために上側クラッド層側にAl2 03 を用いた絶縁膜を成する。 |
| 公开日期 | 1995-10-20 |
| 申请日期 | 1994-03-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81315]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHIMADZU CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井戸 豊,久光 守,重定 頼和,等. 半導体レーザ. JP1995273394A. 1995-10-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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