半導体レーザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 田中 俊明; 柳沢 浩徳 |
| 发表日期 | 1993-05-18 |
| 专利号 | JP1993121835A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】レーザ特性を損わずに低閾値動作でより短い発振波長を実現する半導体レーザ素子及びその製造方法を提供すること。 【構成】n型GaAs基板1上に、バッファ層2、光導波層3、発光活性層4、光導波層5、バッファ層6、電流狭窄兼光吸収層7、コンタクト層8を有するレーザ素子であり、発光活性層4を構成する量子井戸層と量子障壁層の少なくとも1方の層に不純物を含有させる。このレーザ素子の少なくとも発光活性層は有機金属気相成長法か分子線エピタキシー法によりエピタキシャル成長させて形成する。 |
| 公开日期 | 1993-05-18 |
| 申请日期 | 1991-05-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81317]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 俊明,柳沢 浩徳. 半導体レーザ素子及びその製造方法. JP1993121835A. 1993-05-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。