半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 小原 治 |
| 发表日期 | 1994-09-22 |
| 专利号 | JP1994268313A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 外部変調方式の半導体発光装置に関し,レーザ部と光変調器部の結合部での戻り光によるチャーピングを抑制し,高速,長距離伝送を目的とする。 【構成】 レーザと光変調器を同一基板上に集積化した半導体発光装置であって,レーザ部と光変調器部とで段差を有する半導体基板上に同時に成長された層内に,該段差を境にして該レーザ部の活性層と該光変調器部の光吸収層を有するように構成する。 |
| 公开日期 | 1994-09-22 |
| 申请日期 | 1993-03-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81321]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小原 治. 半導体発光装置. JP1994268313A. 1994-09-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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