光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 秋山 傑; 雙田 晴久; 関口 茂昭 |
| 发表日期 | 2007-03-30 |
| 专利号 | JP3936256B2 |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】マッハツェンダ型干渉計を有する光半導体装置に関し、電界と半導体のオーバーラップによる電機信号の損失を従来よりも低減すること。 【解決手段】半導体基板1の上に形成された互いに分離された上側クラッド層12,13及びコア層11をそれぞれ有する第1及び第2の光導波路5,6と、第1及び第2の光導波路5,6の上にそれぞれ形成された第1、第2の位相変調電極18a,18bと、第1及び第2の光導波路5,6の両側方の半導体基板1の上に形成され且つエアブリッジ配線19a,19bを介して第1の位相変調電極18aと第2の位相変調電極18bに別々に接続される第1のスロットライン電極17aと第2のスロットライン電極17bとを含む。 【選択図】 図7 |
| 公开日期 | 2007-06-27 |
| 申请日期 | 2002-07-18 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81323]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 秋山 傑,雙田 晴久,関口 茂昭. 光半導体装置. JP3936256B2. 2007-03-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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