半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 中村 隆宏 |
| 发表日期 | 2000-06-23 |
| 专利号 | JP3080889B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザを高温環境下で高効率で動作可能とするため、活性層内のキャリア増加による内部損失の増加を抑え、活性層からのキャリアオーバーフローによる内部量子効率の減少を抑制する。 【解決手段】 活性層と、該活性層を上下から挟むSCH層を有する半導体レーザにおいて、SCH層を2層以上の多層構造とし、かつ、該多層構造を、前記活性層から遠ざかるにつれてバンドギャップが大きくなる構造とする。 |
| 公开日期 | 2000-08-28 |
| 申请日期 | 1996-09-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81375]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 隆宏. 半導体レーザ. JP3080889B2. 2000-06-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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