半導体レーザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 滝口 治久; 猪口 和彦; 厚主 文弘; 奥村 敏之; 坂根 千登勢; 菅原 聰; 中津 弘志 |
| 发表日期 | 1996-08-08 |
| 专利号 | JP2547459B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | PURPOSE:To enable an active layer to be accurately controlled in width by a method wherein a mesa stripe-like structure provided with the side face of a {111} plane is grown in a groove formed on a substrate. CONSTITUTION:A GaAs current block layer 2 is formed on an N-type GaAs substrate 1a, and a groove 10a is formed through an MOCVD method on the current block layer 2 extending along a [011] direction. An N-type AlGaAs clad layer 3a, an AlGaAs active layer 4a, and a P-type AlGaAs clad layer 5a are continuously grown through an MOCVD method on the surface of the substrate 1a in the groove 10a. In succession, a triangular mesa stripe structure whose side face is a {111} B plane is formed on the groove 10a. At this point, the clad layer 3b, the active layer 4b, and the clad layer 5b are continuously grown even on the current blocking layer 2. Thereafter, a P-type AlGaAs buried layer 6 and a P-type GaAs contact layer 7 are successively grown, and an Au/Zn electrode 8 and an Au/Ge electrode 9 are built respectively. |
| 公开日期 | 1996-10-23 |
| 申请日期 | 1990-01-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81387]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 滝口 治久,猪口 和彦,厚主 文弘,等. 半導体レーザ素子及びその製造方法. JP2547459B2. 1996-08-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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